فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی











متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1400
  • دوره: 

    18
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    163-174
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    324
  • دانلود: 

    144
چکیده: 

هدف در این مقاله ارایه یک ساختار جدید در زمینه اینورترهای چندسطحی کلیدخازنی (SCMLI) و همچنین پیاده سازی عملی آن است. ساختار پیشنهادی قادر است تا با استفاده از یک منبع ولتاژ پایین، چند خازن (بدون استفاده از هیچ ترانس و القاگری) ولتاژ AC نزدیک به سینوسی با دامنه ولتاژ بیشتر از ورودی تولید نماید. از روش کلیدزنی NLC برای کنترل مبدل در ساخت سطوح ولتاژ و برای انتخاب بهترین حالات کلیدزنی استفاده شده است. حالات کلیدزنی به نحوی انتخاب شده اند که مبدل پیشنهادی همواره دارای قابلیت خودمتعادل سازی ولتاژ خازن ها باشد. پایین بودن فرکانس کلیدزنی، کنترل ساده و تولید ولتاژ دوقطبی بدون نیاز به پل H از مزایای این ساختار هستند. از آنجا که خازن ها در ماژول های پیرو (فالوور) به اندازه 3 برابر منبع ورودی شارژ می شوند، این ساختار در مقایسه با سایر ساختارها در رسیدن به سطح ولتاژ یکسان، به تعداد ادوات مداری کمتر نیاز خواهد داشت. هم چنین ماژولار بودن این ساختار، گسترش آن را برای رسیدن به سطوح ولتاژ بالاتر ممکن می کند. برای بررسی عملکرد این ساختار از نرم افزار MATLAB Simulink استفاده شده است. همچنین برای تایید موثر بودن ساختار ارایه شده یک نمونه 13 سطحی از آن با کمک پردازنده AVR ATMEGA16 و تحت بارهای مختلف مورد آزمایش قرار گرفت. نتایج حاصل، صحت عملکرد این ساختار را تایید می کنند. در نهایت پس از انجام محاسبات مربوط به تلفات، بازده اینورتر پیشنهادی به اندازه 92. 72 % بدست آمد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 324

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 144 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1395
  • دوره: 

    14
  • شماره: 

    45
  • صفحات: 

    123-131
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1212
  • دانلود: 

    212
چکیده: 

در این مقاله یک چهار برابر کننده ولتاژ جدید پیشنهاد می گردد که می تواند بعنوان ساختار تقویت کننده در مبدلهای حوزه زمان و ولتاژ مانند مبدلهای آنالوگ به دیجیتال و مبدلهای زمان به دیجیتال مورد استفاده قرار گیرد. تقویت کننده ها در مبدلهای حوزه زمان و ولتاژ برای افزایش رزولوشن و دقت مورد استفاده قرار می گیرند. کاربرد اصلی این نوع از تقویت کننده ها در ساختار مبدلهای آنالوگ به دیجیتال و زمان به دیجیتالی است که از تکنیکهای پایپ لاین و درونیاب برای افزایش رزولوشن و دقت بهره می برند. در این نوع از مبدلها باقیمانده در هر طبقه توسط تقویت کننده ای با ضریب تقویت طراحی شده مشخص تقویت شده و به طبقه بعد بعنوان سیگنال ورودی انتقال می یابد. این امر موجب می شود که یک مبدل پایپ لاین و یا درونیاب بتواند از طبقاتی با ساختار مداری مشابه استفاده نماید. تقویت کننده پیشنهادی از تکنیک پمپ بار برای تقویت ولتاژ ورودی استفاده می کند. از ویژگیهای تقویت کننده پیشنهادی می توان به تقویت دقیق ولتاژ ورودی، حساسیت کمتر به تغییرات پروسه، منبع تغذیه و دما، رنج خطی سازی مناسب و تاخیر ورودی–خروجی کم که سبب افزایش رنج دینامیکی مبدل می شود اشاره نمود.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1212

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 212 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1403
  • دوره: 

    22
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    150-156
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    85
  • دانلود: 

    3
چکیده: 

در این تحقیق از ساختار مبدل تمام پل برای تغذیه تقویت کننده کلایسترون استفاده شده است. برای تأمین توان کلایسترون (kW 100، A 4 و kV 25) سه ماژول مبدل تمام پل با ترانسفورماتور ولتاژ بالا-فرکانس بالا به کار رفته است. خروجی ترانسفورماتورها در یک ساختار ستاره، یکسو شده و پس از عبور از یک فیلتر π، تغذیه مدار راه انداز لامپ کلایسترون تأمین می شود. خروجی منبع تغذیه، پالس هایی با عرض ms 1 و فرکانس تکرار 50Hz می باشد. ولتاژ ورودی مبدل VDC 500 است که از یک تغذیه سه فاز تأمین می گردد. در این تحقیق با متعادل سازی جریان مغناطیس کنندگی ترانسفورماتور فرکانس بالا، بیشینه جریان مغناطیس کنندگی ترانسفورماتورها کاهش یافته و موجب کاهش بیشینه جریان ترانزیستورها می شود. با کاهش بیشینه جریان مغناطیس کنندگی نیز ابعاد هسته ترانسفورماتور و در نتیجه ابعاد، حجم و وزن مدار راه انداز کلایسترون کاهش پیدا می کند. همچنین اندوکتانس نشتی ترانسفورماتور فرکانس بالا، موجب شکل­گیری مدار تشدید سری شده و شرایط کلیدزنی نرم فراهم گردیده و بدین ترتیب موجب بهبود عملکرد مدار راه انداز کلایسترون می شود. عملکرد مدولاتور با استفاده از نرم افزار PSCAD و بار مقاومتی شبیه سازی شده و مورد تأیید قرار گرفته است

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 85

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 3 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    0
  • دوره: 

    8
  • شماره: 

    1 (پیاپی 29)
  • صفحات: 

    7-18
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    486
  • دانلود: 

    224
چکیده: 

این مطالعه برای ارزیابی سمیت ناشی از سولفات مس در بچه ماهیان کپور معمولی (Cyprinus carpio) و نقش احتمالی کلسیم در کاهش سمیت مس انجام شد. به این منظور، نیمی از بچه ماهیان به مدت 4 روز در تماس با اکسیدکلسیم با غلظت 100 میلی گرم در لیتر و سپس به مدت 30 روز در غلظت های 0، 1.5 و 3 میلی گرم در لیتر سولفات مس قرار داده شدند. نیمی دیگر از بچه ماهیان نیز بدون تماس اولیه با اکسیدکلسیم به مدت 30 روز در معرض همان غلظت های سولفات مس قرار گرفتند. اندازه گیری و تعیین فاکتورهای افزایش وزن، افزایش طول کل، درصد تلفات، ضریب چاقی، میزان مس در عضله ماهیان و همچنین مطالعه بافت شناسی آبشش، کبد و کلیه بچه ماهیان انجام شد. بعد از گذشت دوره آزمایش، میزان افزایش وزن و طول کل بچه ماهیان کپور به صورت معنی داری تحت تاثیر غلظت مس و حضور کلسیم قرار گرفت (P<0.05). در غلظت های 0 و 1.5 میلی گرم در لیتر سولفات مس، افزایش وزن و طول در بچه ماهیانی که تماس اولیه با اکسیدکلسیم را دریافت کرده بودند، بیش تر از گروه دوم بود. اگرچه تفاوت فاکتور ضریب چاقی بین تیمارهای مختلف معنی دار نبود (P>0.05). در این مطالعه، غلظت فلز مس در بافت عضله بچه ماهیان کپور با افزایش دوز سولفات مس افزایش یافت (P<0.05) اما میزان این افزایش در تیمارهایی که در تماس اولیه با اکسیدکلسیم قرار گرفته بودند، کم تر بود. تماس با غلظت های 1.5 و 3 میلی گرم در لیتر سولفات مس در تیمارهایی که تماس اولیه با اکسیدکلسیم را نداشتند، موجب عوارضی مانند جداشدگی اپیتلیوم، فیوژن و اتصال لاملای ثانویه، هیپرتروفی و هیپرپلازی در بافت پوششی آبشش، به هم خوردگی پارانشیم، واکوئله شدن هپاتوسیت ها و پارگی و نکروز سلول های کبدی، تخریب و از هم پاشیدگی گلومرول وکپسول بومن و لوله های ادراری شد. نتایج این مطالعه نشان داد که تماس اولیه بچه ماهیان کپور معمولی با اکسیدکلسیم می تواند به عنوان فاکتوری محافظت کننده در برابر سمیت مس ایفای نقش نماید و منجر به رشد بهتر ماهی در پایان دوره شود.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 486

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 224 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 7
نویسندگان: 

خراشادی زاده حسن

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1384
  • دوره: 

    32
  • شماره: 

    1 (پیاپی 40) ویژه الکترونیک
  • صفحات: 

    15-26
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1215
  • دانلود: 

    345
چکیده: 

ترانسفورماتورهای ولتاژ خازنی که عموما در خطوط انتقال به کار می روند در هنگام ایجاد خطا دچار حالات گذرایی می شوند که بر عملکرد رله های حفاظتی الکترونیکی و دیجیتالی به دلیل سرعت عمل‍کرد بالا و حساسیت زیاد آن ها تاثیر می گذارند. این مقاله ابتدا یک مرور کلی بر ساختمان و رفتار گذرای یک ترانسفورماتور ولتاژ خازنی خواهد داشت آنگاه تاثیر رفتار گذرای این ترانسفورماتور ولتاژ بر عمل‍کرد رله دیستانس بررسی خواهد شد. در نهایت روشی برای کاهش تاثیر این رفتار گذرا بر عمل‍کرد رله دیستانس به کمک شبکه های عصبی ارایه خواهد شد. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که این روش دارای سرعت و حساسیت مناسبی برای تمامی خطاها، خصوصا خطاهایی که در نزدیکی مرز ناحیه حفاظتی رله رخ می دهد، می باشد و در برابر پدیده هایی هم‍چون رفتار گذرای ترانسفورماتورهای ولتاژ خازنی، مقاومت خطا، مولفه dc جریان که رله های مرسوم را تحت تاثیر قرار می دهد، پایدار و غیر حساس می باشد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1215

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 345 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1394
  • دوره: 

    22
تعامل: 
  • بازدید: 

    212
  • دانلود: 

    84
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 212

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 84
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1394
  • دوره: 

    6
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    51-62
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    545
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

قابلیت ایستادگی در برابر افت ولتاژ در مزارع بادی برای عدم جدا شدن از شبکه در حین خطا، ضروری می باشد. در این مطالعه هر دو مدلسازی ولتاژ پشت راکتانس و DQ، برای ژنراتور القایی مورد استفاده در توربین بادی سرعت ثابت، انجام و مقایسه شده اند. بر اساس مدل مناسب، روشی جدید برای ارتقاء قابلیت ایستادگی در برابر افت ولتاژ در توربین های بادی سرعت ثابت حین خطای سه فاز متقارن، پیشنهاد شده است که بر مبنای استفاده از یک کندانسور سنکرون با کنترل کننده منطق فازی می باشد. به منظور داشتن کنترل مناسب بر روی سیستم حین خطا، تزریق توان راکتیو توسط کندانسور سنکرون با استفاده از کنترل کننده منطق فازی تنظیم می شود. اگرچه استفاده از STATCOM، متداول ترین روش برای بهبود قابلیت ایستادگی در برابر افت ولتاژ در توربین های بادی است، نتایج نشان می دهند که استفاده از یک کندانسور سنکرون با کنترل کننده منطق فازی حین خطا، منجر به کارایی بهتر می شود. بنابراین استفاده از مدل ولتاژ پشت راکتانس برای اولین بار در توربین های بادی سرعت ثابت و پیشنهاد استفاده از کندانسور سنکرون با کنترل کننده منطق فازی جهت بهبود قابلیت ایستادگی در برابر افت ولتاژ از نوآوری های این مقاله می باشند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 545

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1391
  • دوره: 

    1
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    43-53
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    5714
  • دانلود: 

    804
چکیده: 

برای بهبود کیفیت توان شبکه های توزیع، روش های زیادی استفاده می شود که کارآمدترین و موثرترین آنها استفاده از ادوات Custom Power می باشد. این ادوات بر اساس اصول کار مبدل منبع ولتاژ VSC طراحی شده اند و هر یک از تجهیزات آن برای جبران بعضی از پدیده های کیفیت توان مناسب است. جبرانساز استاتیکی توزیع یا D-STATCOM یکی از تجهیزات Custom Power می باشد که با تزریق جریان، توان راکتیو شین را کنترل می کند و باعث تثبیت ولتاژ شین در محل نصب می شود. در این مقاله، عملکرد D-STATCOM در اصلاح کمبود و بیشبود ولتاژ در شبکه توزیع بر اساس مدولاسیون پهنای پالس سینوسی  (SPWM)و مدولاسیون پهنای پالس بردار فضایی  (SVPWM)با استفاده از نرم افزار PSCAD/EMTDC شبیه سازی می شود و برای تولید سیگنال های کلیدزنی مبدل منبع ولتاژ این تجهیز از هر یک از این مدولاسیون ها استفاده می شود و عملکرد D-STATCOM در صورت بکارگیری هر یک از این مدولاسیون ها با هم مقایسه خواهد شد. D-STATCOM مبتنی بر مدولاسیون پهنای پالس بردار فضایی بطور موثرتری کمبود ولتاژ و بیشبود ولتاژ را بازیابی می کند و همچنین باعث ایجاد اعوجاج هارمونیکی کمتری می شود.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 5714

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 804 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1398
  • دوره: 

    13
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    57-69
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    357
  • دانلود: 

    124
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید,

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 357

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 124 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1400
  • دوره: 

    25
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    714-723
تعامل: 
  • استنادات: 

    2
  • بازدید: 

    373
  • دانلود: 

    180
چکیده: 

سابقه و هدف: سلول های بنیادی اسپرماتوگونی (SSCs: Spermatogonial Stem Cells)، اساس اسپرماتوژنز هستند؛ زیرا ظرفیت خودنوسازی و تمایز به اسپرماتوزوآ را دارند. انجماد، متداول ترین روش حفظ طولانی مدت SSCs است. هدف از مطالعه حاضر، بررسی اثرات محافظت کنندگی در برابر انجماد سرم جنین گاو (FBS: Fetal Bovine Serum) و ترهالوز بر SSCs بز بود. مواد و روش ها: SSCs از بیضه بز نابالغ توسط هضم آنزیمی و حذف تمایزی جداسازی شدند. سلول ها به 9 گروه تقسیم شدند. گروه کنترل شامل SSCs بدون عوامل محافظت کننده انجماد بود. در گروه های تیمار 1، 2، 3 و 4؛ غلظت 10 درصد FBS و غلظت های مختلف ترهالوز (0، 50، 100 و 200 میلی مول) و در گروه های تیمار 5، 6، 7 و 8؛ غلظت 20 درصد FBS و غلظت های مختلف ترهالوز (0، 50، 100 و 200 میلی مول) به ترتیب استفاده شد. میزان زنده مانی سلول ها بلافاصله پس از جداسازی، افزودن مواد محافظ انجماد و یخ گشایی ارزیابی شد. ماهیت سلول ها توسط رنگ آمیزی ایمنوسیتوشیمی علیه آنتی ژن PGP9. 5 تایید شد. داده ها توسط آزمون آنالیز واریانس یک طرفه تحلیل گردیدند. نتایج: میزان زنده مانی SSCs در تیمارهای مختلف، متعاقب افزودن FBS و ترهالوز بلافاصله پس از جداسازی، مشابه سلول های زنده بود. علاوه بر این، بیشترین میزان زنده مانی SSCs پس از یخ گشایی در محیط انجماد حاوی 10 درصد FBS و 200 میلی مول ترهالوز مشاهده شد (0/05>P). نتیجه گیری: نتایج نشان داد که انجماد در FBS 10 درصد توام با 200 میلی مول ترهالوز به عنوان روش موثر برای حفاظت از انجماد SSCs بز عمل می کند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 373

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 180 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 2 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 6
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button